Transistor  (24.605 Angebote unter 29.046.641 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, Typ=IXYH30N120C3D1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 450 V Kollektor-Base-Spannung: 1000 V Kollektorstrom: 30 A Verlustleistung: 250 W

Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 40 Pilot IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 40 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Pilotzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sc...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

Produktpalette: DTC114E Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfa...

IGBT, Typ=IXYH30N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ma...

Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 50 Pilot IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 50 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Pilotzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sc...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET

Produktpalette: UMD3N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...

IGBT, Typ=IXYH40N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ma...

Der leistungsstarke STAHLWERK CUT 50 ST IGBT Plasmaschneider liefert kraftvolle 50 Ampere und verfügt über eine präzise Hochfrequenz (HF) Kontaktzündung für ein erstklassiges Zündverhalten. Die Sch...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...

Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...

Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...