Transistor  (24.870 Angebote unter 28.247.602 Artikeln)Zum Expertenwissen

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der pnp Version ist die Basis gegenüber dem Emitter neg...

Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Verlustleistung: 200 W DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE Kollektor-Emitter-Spannung, ...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Base-Spannung: 50 V Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 500 mA Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 300 mW Betriebstemperatur:...

Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannu...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 800 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 10 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigur...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...

Das innovative Brick `R` knowledge System ermöglicht es, sich spielerisch mit Elektrotechnik und den wichtigsten Komponenten, Größen und Funktionsweisen auseinander zu setzen. Das System hilft zude...

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Dauer-Kollektorst...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Base-Spannung: 30 V Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V Emitter-Base-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 0,1 A Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 200 mW Betriebstemperatur: ...

MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transi...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität:...

Funktioniert wie ein normaler npn-Transistor, zusätzlich ist die Basis mit einer Linse nah außen zugänglich. Der Strom durch Emitter Kollektorstrecke kann so zusätzlich durch Licht gesteuert werden.

Bauform - Transistor: TO-92 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited Dauer-Kollektorstrom: 200 mA Übergangsfrequenz: 300 MHz Qualifikation: - Verlustleistung:...