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  Transistor  (24.605 Angebote unter 29.047.583 Artikeln)Zum Expertenwissen

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IGBT, 1.2kV, 188A, TO-264 (3 Angebote) 
IGBT, Typ=IXYK100N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung m...
IXYS
IXYK100N120C3
ab € 17,15*
pro Stück
 
 Stück
ALLNET 120238 Transistor (2 Angebote) 
Funktioniert wie ein normaler npn-Transistor, zusätzlich ist die Basis mit einer Linse nah außen zugänglich. Der Strom durch Emitter Kollektorstrecke kann so zusätzlich durch Licht gesteuert werden.
ALLNET
ALL-BRICK-0304
ab € 4,93*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE 2N6044 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220, (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - RoHS konform: Ja
Solid State
2N6044
ab € 0,94*
pro Stück
 
 Stück
BCY59-9 TO18 THT TRANSISTOR NPN (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C
CDIL
BCY59-9
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Inverterschweißgerät ARC 200 ST IGBT Einzelgerät m.Zub.30-200 A STAHLWERK (3 Angebote) 
Das STAHLWERK ARC-200 ST IGBT ist ein kompaktes E-Hand-Schweißgerät mit echten 200 Ampere. Der Vorteil des nur 6,3 kg leichten Gleichstrom-Elektrodenschweißgeräts ist · dass es kompakt gebaut und d...
STAHLWERK
1795-001
ab € 110,79*
pro Stück
 
 Stück
Chopper IGBT Switch, 1200 V, 84 A, V1-A-Pack, Littelfuse MIXA80R1200VA (1 Angebot) 
IGBT Modul, MIXA80R1200VA, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (X...
Littelfuse
MIXA80R1200VA
ab € 21,84*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
ab € 8,80*
pro 20 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: E...
onsemi
MUN5211T1G
ab € 0,0112*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V 85 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
IXYS
IXA12IF1200PB
ab € 1,27*
pro Stück
 
 Stück
ALLNET 118390 Transistor (3 Angebote) 
PUT steht für Programmable Unijunction Transistor. Das "Gate" verbindet die Anode und Kathode, die sich an der ersten und der letzten p-n-dotierten Schicht befinden. Der PUT enthält drei p-n-Übergä...
ALLNET
ALL-BRICK-0169
ab € 2,93*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ11012 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3, T (1 Angebot) 
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Betriebstemperatur, max.: 200 °C Wandlerpolarität: NPN Qualifikation: - Transistormontage: Through Hole Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - RoHS konform: Ja
Solid State
MJ11012
ab € 7,38*
pro Stück
 
 Stück
BCY79-9 TO18 THT TRANSISTOR PNP (2 Angebote) 
Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -45 V Emitter-Base-Spannung: -5 V Kollektorstrom: -0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C
CDIL
BCY79-9
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Inverterschweißgerät CT 550 ST IGBT luftg.3m Einzelgerät m.Zub.STAHLWERK (3 Angebote) 
Das STAHLWERK CT-550 ST ist ein WIG- und E-Hand-Kombischweißgerät mit 200 Ampere und 50 Ampere Plasmaschneidfunktion. Die CT-550 ST ist zum Bearbeiten von Dünnblech und dickeren Blechen gleichermaß...
STAHLWERK
1041-001
ab € 222,43*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, BUZ71-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ71-T
ab € 1,81*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKW50N60TFKSA1
ab € 5,37*
pro Stück
 
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