SMD-Transistor  (11.348 Angebote unter 28.247.351 Artikeln)

IGBT, IXA4I1200UC-TUB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 15 W Transistor-Konfiguration = Einfach Ko...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 389mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustle...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...

IGBT, IXA4I1200UC-TRL, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treiberkon...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transi...

IGBT, IXA60IF1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, H...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) RoHS konform: Ja

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

IGBT, IXA70I1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, Ho...

Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betri...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...

IGBT, IXBN75N170, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Bauform - Treiber: SOIC Produktpalette: ULx2004A Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: - Anzahl der Ausgänge: 7 Ausgänge Ausgangsspannung: 50 V Ausgangsstrom: 500 mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Vers...