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  Transistor  (24.870 Angebote unter 28.247.353 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; Idm: 0,68A; 0,2W (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SC70;SOT323 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,17A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,2W Polarisierung: u...
onsemi
BSS123W
ab € 0,36*
pro 5 Stück
 
 Packung
onsemi NTB NTBGS6D5N15MC N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 121 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 121 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 Ω Channel-Modus =...
onsemi
NTBGS6D5N15MC
ab € 2,67*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSP296N Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
BSP296NH6327XTSA1
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJE15034G THT, NPN Transistor 350 V / 8 A 1 MHz, TO-220 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 350 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 50 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor...
onsemi
MJE15034G
ab € 0,62*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 26A; 960W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 960W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFK26N120P
ab € 25,36*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MUN5235T1G SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 (SC-70) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 310 mW Transistor-Konfiguration = Einf...
onsemi
MUN5235T1G
ab € 30,45*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0,272A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,272A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,35W Polarisier...
YANGJIE TECHNOLOGY
2N7002
ab € 0,2325*
pro 25 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,1A; 0,33W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,1A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,33W Polarisie...
Diodes
ZVN3310FTA
ab € 0,19*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NTH NTH4L040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 58 A, 4-Pin TO-247-4 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,056 Ω Channel-Modus = Enhan...
onsemi
NTH4L040N120SC1
ab € 16,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,3A; Idm: 8A; 1,3W; SOT23 (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3W Polarisi...
Diodes
DMN10H220L-7
ab € 0,0857*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJE210G THT, PNP Transistor –40 V / -10 A 10 MHz, TO-225 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -10 A Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V Gehäusegröße = TO-225 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 15 W Gleichstromverstärkung min. = 45 Transisto...
onsemi
MJE210G
ab € 187,86*
pro 500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 3,5A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 135W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7SFLLG
ab € 11,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2,4A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisier...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL03N06A
ab € 0,142*
pro 5 Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO92 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,32A Widerstand im Leitungszustand: 4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,7W Polarisieru...
Diodes
ZVN2110A
ab € 0,27*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17,3 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,224 Ω Channel-Modus = Enh...
onsemi
NTH4L160N120SC1
ab € 6,18*
pro Stück
 
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